智通财经APP讯，普达特科技(00650)公布，公司一台12英吋LPCVD炉管设备成功通过客户验收，该设备应用于LP-SiN薄膜沉积工艺。此外，另一台12英吋ALD炉管设备在客户端处于验证过程中，该设备应用于ALD-SiN╱ALD-SiCN薄膜沉积工艺，兼容Thermal╱Plasma模式。

公司先进半导体炉管设备产品线，拥有Galilee-LP与Galilee-ALD两大设备平台，致力于服务12英吋逻辑制程、DRAM、3DNAND领域，应用覆盖65nm~7nm先进节点的关键薄膜沉积工艺，可沉积SiN、Poly、TEOS等多种系列膜层材料，该类设备市场主要由海外供应商占据，国产化率极低。公司的该等设备可实现更高的填充深宽比、均匀性、台阶覆盖率与更低的污染，在先进性能指标达到国际标准的同时，拥有更高的批次生产效率，且具备多种工艺选择的兼容性。特别地，在先进应用开发方面，公司已完成开发用于14/7nm节点的Low-KALDSiOCN炉管设备，用于满足大规模集成电路对高性能绝缘层的需求，目前该设备仍由海外设备商垄断。

此外，公司半导体单片清洗设备亦持续扩大客户基础与量产经验。自2025年10月至今，已有五台6至12英吋CUBE单片清洗设备成功于多家高质量客户处通过验收，应用于SiC╱功率器件╱数模混合芯片等领域，其中两台设备为重复订单。该设备针对背面清洗与蚀刻工艺，具备超薄晶圆的处理能力、业界领先的伯努利传输与晶圆边缘管控技术，同时通过架构创新，为客户提供行业领先的生产力。据董事会经作出一切合理查询后所深知、尽悉及确信，于本公告日期，上述客户及其最终实益拥有人为独立于公司及其关联人士的第三方。

未来，公司将继续完成半导体先进炉管设备与清洗设备的交付与验收，持续扩大高质量客户基础，并充分发挥公司技术优势，推动先进半导体设备国产化取得进一步突破。